亚稳态斯格明子弦的电流诱导黏弹性拓扑解绕
强关联电子
2017-11-10 v1
摘要
在MnSi块体手性磁体中，直径为17 nm的磁性斯格明子弦以晶格形式出现，穿透样品厚度10–1000 μm。尽管这样一束斯格明子弦在随机钉扎势影响下开始运动时可能表现出复杂的类软物质动力学，其细节仍高度不明。在此，我们表明，亚稳态斯格明子弦晶格在施加3–5×10⁶ A m⁻²的脉冲电流时会发生拓扑解绕而非被输运，这由拓扑霍尔效应的测量所证实。发生拓扑解绕的临界电流密度在更短脉冲宽度下更大，令人联想到在畴壁运动中观察到的伴随钉扎-蠕变转变的黏弹性特征。数值模拟揭示，电流诱导的已分段斯格明子弦的去钉扎启动了拓扑解绕。因此，在研究电流诱导运动时，斯格明子弦长度是一个需要考虑的因素。
引用
@article{arxiv.1711.03286,
title = {Current-induced viscoelastic topological unwinding of metastable skyrmion strings},
author = {F. Kagawa and H. Oike and W. Koshibae and A. Kikkawa and Y. Okamura and Y. Taguchi and N. Nagaosa and Y. Tokura},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.03286},
year = {2017}
}
备注
33 pages, 13 figures (including Supplementary Materials)