零场斯格明子的电流诱导成核与运动

我们研究了在无外加磁场条件下磁性超薄膜中斯格明子的稳定化与电学操控。我们表明，与通常的斯格明子样品相比，这需要通过样品厚度控制的增强磁各向异性，使得均匀态对应于零场基态，而斯格明子对应于亚稳激发。尽管零场斯格明子的稳定化在较宽厚度范围内得到证实，但电学控制更为苛刻，以避免斯格明子变形。在最薄样品中，大磁各向异性阻止了斯格明子变形，我们表明它们可由电流脉冲逐步成核，这突显出唯一可能的转变发生在均匀态与斯格明子态之间。零外加磁场下的孤子型斯格明子与场稳定型具有相同的性质，在自旋轨道转矩激发下具有长期稳定性与高迁移率。