掺硼金刚石薄膜中电流诱导的纳米间隙形成与石墨化
介观与纳米尺度物理
2012-12-12 v1 材料科学
摘要
采用大电流退火技术在掺硼纳米晶金刚石薄膜中制备纳米间隙及金刚石/石墨混合结构。利用反馈控制的电流退火程序，可产生低至 1 nm 的纳米级间隙。通过扫描电子显微镜和电子输运测量对纳米间隙进行了表征。利用拉曼光谱对电流退火过程中焦耳加热产生的高温所引起的结构变化进行了表征。在热量积聚最大处观察到了金刚石/石墨混合结构的形成。
引用
@article{arxiv.1212.2235,
title = {Current-induced nanogap formation and graphitization in boron-doped diamond films},
author = {V. Seshan and C. R. Arroyo and A. Castellanos-Gomez and F. Prins and M. L. Perrin and S. D. Janssens and K. Haenen and M. Nesládek and E. J. R. Sudhölter and L. C. P. M. de Smet and H. S. J. van der Zant and D. Dulic},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.2235},
year = {2012}
}
备注
14 pages 4 figures + 1 supplemental figure