Zn/Ni 掺杂 NdBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{6+y}$中的 Cu NQR 抹除效应与电荷赝能隙
超导电性
2007-05-25 v1
摘要
我们报道了对轻微欠掺杂且 heavily 掺杂 Ni 和 Zn 杂质的 NdBaCuO单晶的 Cu NQR 测量。由于杂质掺杂，两种情况下的超导性均被完全抑制。Ni 强烈增强了磁关联，并引发了与条纹有序镧系铜酸盐中相当的 NQR 信号抹除效应。相比之下，在 Zn 掺杂样品中磁性被抑制，未观察到抹除效应，且核自旋弛豫率降低。我们的发现与最近光学数据揭示的 Ni 和 Zn 杂质对电荷赝能隙的不同影响惊人地一致，从而揭示了磁关联与赝能隙现象之间的密切关系。
引用
@article{arxiv.0705.3526,
title = {Cu NQR Wipeout Effect versus Charge Pseudogap in Zn/Ni Doped NdBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{6+y}$},
author = {H. -J. Grafe and F. Hammerath and A. Vyalikh and G. Urbanik and V. Kataev and Th. Wolf and G. Khaliullin and B. Büchner},
journal= {arXiv preprint arXiv:0705.3526},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 2 figures; submitted to Phys. Rev. Lett