跨越安德格反射诱导的磁阻
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2 超导电性
摘要
我们表明，在电流平面几何中，可在磁性三层结构中获得非常大的负磁阻。该磁钵由一个薄超导薄膜夹在两个磁性层之间，其磁化允许是平行或反平行排列。对于合适的结构参数和接近完全自旋极化的铁磁体，磁阻可超过 -80%。我们的结果与利用铁磁-超导结构设计和实现自旋电子器件的实际需求相关。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0512090,
title = {Crossed Andreev reflection-induced magnetoresistance},
author = {F. Giazotto and F. Taddei and R. Fazio and F. Beltram},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0512090},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 4 figures, final published version