双层石墨烯中从逆向到镜面Andreev反射的交叉

制备超洁净石墨烯/超导体(SC)界面的持续实验进展使得最近在双层石墨烯(BLG)/NbSe$_{2}$范德瓦耳斯界面上观察到镜面带间Andreev反射(AR) [Nature Physics 12, (2016)]。受该实验启发，我们从理论上研究了BLG/SC界面在BLG中从高到超低费米能 $E_{F}$ 连续过渡下的微分电导。利用Bogoliubov-deGennes方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk形式，我们推导了BLG/SC界面微分电导的解析表达式。我们发现了从带内逆向（高 $E_{F}$）到带间镜面（低 $E_{F}$）Andreev反射交叉的特征标志，其表现为当激发能 $|\varepsilon |=|E_{F}|<\Delta$（SC能隙）时界面电导被强烈抑制。这些电导谷的锐度强烈依赖于BLG/SC界面势阶的大小 $U_{0}$。