MgB2和C60/CHBr3临界温度T_c与充电能E_c的关系
超导电性
2009-11-07 v1 材料科学
摘要
讨论了与镁硼堆积层状材料MgB2相关的硼化物化合物MB_x。我们提出了一种可能实现高于MgB2 39 K临界温度T_c的超导材料的可能性。我们指出,间隙离子M(如Mg在MgB2中)作为电容器的作用,可减少由于B-B层之间充电能E_c导致的凝聚能损失。在本模型的观点下,最近发现的117开尔文超导体C60/CHBr3也可将间隙分子CHBr3视为C60分子超导颗粒之间可能的电容器。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0109251,
title = {Critical Temperature T_c versus Charging Energy E_c in MgB2 and C60/CHBr3},
author = {Chikao Kawabata and Nobuhiko Hayashi and Fumihisa Ono},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0109251},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 1 fugure included; prepared for Proceedings of the symposium ISS2001, Kobe, Sep. 2001