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赝能隙端点附近单层铋基铜氧化物中的临界光致反射率弛豫动力学

超导电性 2025-09-01 v1 强关联电子

摘要

利用光学超快时间分辨泵浦-探测光谱学,对重度过掺杂的单层铜氧化物 (Bi,Pb)2_{2}Sr2_{2}CuO6+δ_{6+\delta} (Pb-Bi2201) 在跨越赝能隙和超导相端点处的光致瞬态反射率动力学进行了全面研究。在即将到达赝能隙端点之前的 Pb-Bi2201 中,高于 TcT_{{\rm c}} 的瞬态反射率动力学类似于在最佳掺杂 La-Bi2201 中观察到的赝能隙响应。然而,在低温下,弛豫时间表现出幂律发散,τ10/kBT\tau\sim10\hbar/k_{\mathrm{B}}T,标志着在赝能隙端点掺杂处存在量子临界行为。在刚刚超过赝能隙掺杂端点的 Pb-Bi2201 中也观察到了弛豫时间类似的幂律增长,尽管其表现不那么显著。

关键词

引用

@article{arxiv.2508.21298,
  title  = {Critical photoinduced reflectivity relaxation dynamics in single-layer Bi-based cuprates near the pseudogap end point},
  author = {T. Shimizu and R. Tobise and T. Kurosawa and S. Tsuchiya and M. Oda and Y. Toda and V. V. Kabanov and D. Mihailovic and T. Mertelj},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2508.21298},
  year   = {2025}
}