通过掺杂半导体电离产生局域等离子体波
等离子体物理
2019-07-04 v2
摘要
通过突然电离具有空间周期性掺杂密度的外禀半导体，可产生局域等离子体波。冶金结处内建的静电势与电子密度波纹相结合，提供了电离时激发持久等离子体波所需的精确初始条件。该方法可产生频率介于数太赫兹至亚拍赫兹之间且无显著阻尼的等离子体波。 lingering 等离子体波可在宽共振频率范围内（直至极紫外波段）为后向拉曼放大提供种子。啁啾波矢与弯曲波前使得放大光束在纵向与横向维度上均可聚焦。该方法的主要限制似乎在于从固态材料获得足够低的等离子体密度以避免碰撞阻尼。
引用
@article{arxiv.1903.09013,
title = {Creating localized plasma wave by ionization of doped semiconductors},
author = {Kenan Qu and Nathaniel J. Fisch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.09013},
year = {2019}
}