利用面内磁化永磁薄膜制备Ioffe-Pritchard微阱
原子物理
2007-05-23 v2 材料科学
摘要
我们提出了使用硬磁材料平面图案的Ioffe-Pritchard型磁阱设计。通过电火花腐蚀40 m厚的FePt箔制备了两个具有不同图案设计的样品。第一个样品上的图案计算出的轴向和径向阱频分别为51 Hz和6.8 kHz。对于第二个样品，计算出的频率为34 Hz和11 kHz。这些结构成功地用作Rb的磁光阱，并作为磁阱装载。第三种设计基于Si衬底上光刻图案化的250 nm厚FePt薄膜，产生了一个由19个阱组成的阵列，计算出的轴向和径向阱频分别为1.5 kHz和110 kHz。
引用
@article{arxiv.physics/0501109,
title = {Creating Ioffe-Pritchard micro-traps from permanent magnetic film with in-plane magnetization},
author = {I. Barb and R. Gerritsma and Y. T. Xing and J. B. Goedkoop and R. J. C. Spreeuw},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0501109},
year = {2007}
}
备注
8 pages, 5 figures Revised and accepted for EPJD, improved pictures