计数 $B\to V\gamma$ 衰变中的接触项
高能物理 - 唯象学
2016-11-23 v1
摘要
我们阐明了弱消耗振幅中接触项的来源及其消除机制，后者贡献于 衰变。演示了在夸克质为零的奇异极限下，来自最终状态夸克的光子辐射为零。也讨论了 QCD 光锥求和规则评估弱消耗振幅中的接触项。
引用
@article{arxiv.hep-ph/0111249,
title = {Counting contact terms in $B\to V\gamma$ decays},
author = {Alexander Khodjamirian and Daniel Wyler},
journal= {arXiv preprint arXiv:hep-ph/0111249},
year = {2016}
}
备注
16 pages, 2 figures, Latex, ws-p8-50x6-00.cls, to be published in Sergei Matinian Festschrift ``From Integrable Models to Gauge Theories.'', Eds. V. Gurzadyan, A. Sedrakyan, World Scientific, 2002