周期驱动 Kagome Mott 绝缘体中的关联诱导拓扑重构
强关联电子
2026-07-02 v1
摘要
我们研究 Hubbard 模型在 Kagome 晶格上电子关联与圆极化周期驱动的相互作用。通过 Brillouin-Wigner 微扰理论，我们推导出一个有效 Floquet 哈密顿量，其中驱动重整了裸跃迁并产生手性最近邻和次近邻项，导致重复的拓扑相变和一个位置连续可调的平坦带。在 Slave-Rotor 平均场理论中，我们表明驱动振幅导致的 Mott 相变强烈非单调，产生重复的金属-绝缘体相变，且 Mott 相位内的自旋子激发获得与无相互作用 Floquet 带不同的拓扑带结构。这种关联驱动的拓扑重构产生了无法通过驱动或相互作用单独获得的涌现平坦带自旋子绝缘体。我们的结果确立了周期驱动 Kagome 系统作为在非平衡下构建关联拓扑平坦带物理的平台，并提出了在超冷原子晶格中的实现方案。
引用
@article{arxiv.2607.02717,
title = {Correlation-Induced Topological Reconstruction in a Periodically Driven Kagome Mott Insulator},
author = {Rahul Ghosh and Subhajyoti Pal and Ganesh C Paul},
journal= {arXiv preprint arXiv:2607.02717},
year = {2026}
}