Coqblin-Schrieffer 杂质于奇异金属中的研究

研究了一种自旋为 $S$ 的 Coqblin-Schrieffer 杂质耦合于 $N = 2S+2$ 的 SU(N) 不变开放 $t-J$ 链的边界。该模型在任意自旋数和带填充下，仅以一个耦合参数 $v$ 为函数即可实现可积。该系统耦合于电子浓度为宜的储备中，随着化学势的变化，宿主链在空带电荷的 van Hove 奇点处对应临界点。在该临界点附近，我们随 $v$ 的变化研究了杂质的低温性质。对于固定的化学势，得到两个临界耦合值 $v_1=-1/2$ 和 $v_2=0$，分别分隔了杂质自旋在完全补偿（Kondo 效应）、部分屏蔽（欠补偿杂质）或与链相互独立（自由自旋）相对应的相态。部分补偿作为热力学 {\it 激活 Kondo 效应} 在 $v_1 < v < v_2$ 区域的体现。讨论了此类 {\it 有限温度 Kondo 效应} 在窄带隙半导体中的可能实现。