通过巡游电子磁化率控制4f反铁磁动力学
材料科学
2024-04-19 v1 强关联电子
摘要
光学操控磁性为未来的超快自旋电子学带来了希望，特别是利用镧系元素及其巨大的局域4f磁矩。这些磁矩通过传导电子（RKKY交换）间接相互作用，受原子间轨道重叠和传导电子磁化率的影响。本文通过超快共振X射线衍射研究了一系列4f反铁磁体GdT2Si2（T=Co, Rh, Ir）中的这种影响。我们观察到材料间超快角动量传递增加了两倍，这源于传导电子磁化率的改变，并通过第一性原理计算得到证实。
引用
@article{arxiv.2404.12119,
title = {Controlling 4f antiferromagnetic dynamics via itinerant electronic susceptibility},
author = {Sang-Eun Lee and Yoav William Windsor and Daniela Zahn and Alexej Kraiker and Kurt Kummer and Kristin Kliemt and Cornelius Krellner and Christian Schüßler-Langeheine and Niko Pontius and Urs Staub and Denis V. Vyalikh and Arthur Ernst and Laurenz Rettig},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.12119},
year = {2024}
}