由半导体结耦合的 transmon 量子比特的受控-Z 门
量子物理
2018-05-02 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们分析了两个量子比特通过外延半导体结的耦合。具体地,我们考虑三种构型,包括成对的 transmon 或 gatemon,以及由外延四端结形成的类 gatemon 双量子比特。这三种构型通过在外延半导体结附近的金属栅极上施加电压来实现量子比特间相互作用的电学控制,并可用于自然地实现受控-Z 门(CZ)。我们计算了此类 CZ 门的保真度与时序。我们证明在不存在退相干的情况下,CZ 门可在 内完成,且门误差低于 。
引用
@article{arxiv.1801.04291,
title = {Controlled-Z gate for transmon qubits coupled by semiconductor junctions},
author = {Zhenyi Qi and Hong-Yi Xie and Javad Shabani and Vladimir E. Manucharyan and Alex Levchenko and Maxim G. Vavilov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.04291},
year = {2018}
}
备注
12 pages, 12 figures