连续解耦独立误差类下的 Hadamard 量子门
量子物理
2012-10-22 v1
摘要
我们考虑保护 Hadamard 操作免受独立的退相位、比特翻转和耗散影响。这些环境诱导的误差由三个不相关的热化玻色子库表示，我们表明可以通过连续动力学解耦实现这种保护。我们发现，要将 Hadamard 演化与环境影响解耦，如果玻色子谱密度是超欧姆的，则比欧姆情况需要更高频率的控制场。我们还研究了在免受退相位保护时，比特翻转和耗散对门保真度的相关性，展示了这种部分保护对这些其他扰动的鲁棒性。最后，我们计算了一种高效的场排列方案，能够同时保护门操作免受这三类误差的影响。
引用
@article{arxiv.0707.1033,
title = {Continuously decoupling a Hadamard quantum gate from independent classes of errors},
author = {F. F. Fanchini and J. E. M. Hornos and R. d. J. Napolitano},
journal= {arXiv preprint arXiv:0707.1033},
year = {2012}
}