利用长基线带电流和中性流数据对中微子衰变寿命的限制

我们研究了涉及 MINOS 和 T2K 实验的带电流和中性流数据的中微子振荡与衰变情景的现状。我们首先在振荡加衰变的框架下分析了来自 MINOS 的带电流中微子和反中微子数据，并获得了非零衰变参数 $\alpha_3$ 的最佳拟合值。对 MINOS 带电流和中性流数据的分析得出的最佳拟合值为 $|\Delta m_{32}^2| = 2.34\times 10^{-3}$~eV$^2$，$\sin^2 \theta_{23} = 0.60$ 以及零衰变参数，这对应于标准振荡的极限。我们结合的 MINOS 和 T2K 分析报告了中微子衰变寿命 $\tau_3/m_3 > 2.8 \times 10^{-12}$~s/eV 的 90\% 置信水平限制。这是仅基于加速器产生中微子所得到的最佳限制。