通过虚化学势下的三临界线约束 QCD 相图
高能物理 - 格点
2014-11-20 v1 高能物理 - 唯象学
核理论
摘要
我们展示了具有三种简并夸克种类的 QCD 晶格模拟的明确证据，表明在固定虚化学势 下的 相图中存在两个三临界点，一个位于轻质量区，另一个位于重质量区。它们分别代表了延续至虚化学势的手征临界线和退禁闭临界线的边界。研究表明，实化学势下退禁闭临界线的形状由三临界标度决定，这意味着实化学势会减弱退禁闭跃迁。文中还讨论了向非简并和轻夸克质量的推广。
引用
@article{arxiv.1004.3144,
title = {Constraining the QCD phase diagram by tricritical lines at imaginary chemical potential},
author = {Philippe de Forcrand and Owe Philipsen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1004.3144},
year = {2014}
}
备注
4 pages, 5 figures