GaN:Mn 中室温长程磁有序的确认
材料科学
2010-11-18 v1
摘要
我们提出了一种在稀磁体系中表征长程磁有序的纳米尺度方法，以阐明室温铁磁性的起源。采用金属有机化学气相沉积法生长了 Ga 位 Mn 替位浓度高达 3.8% 的 GaN:Mn 薄膜。在刻蚀的人工微结构和天然位错坑上进行了原子力显微镜（AFM）和磁力显微镜（MFM）表征。对 AFM 和 MFM 数据的数值模拟和理论分析确认了长程磁有序的形成，并排除了纳米团簇对铁磁性有贡献的可能性。我们认为，离域电子可能在这种长程磁有序的建立中发挥了作用。
引用
@article{arxiv.1011.3937,
title = {Confirmation of room-temperature long range magnetic order in GaN:Mn},
author = {Y. H. Zhang and Z. Y. Lin and F. F. Zhang and X. L. Yang and D. Li and Z. T. Chen and G. J. Lian and Y. Z. Qian and X. Z. Jiang and T. Dai and Z. C. Wen and B. S. Han and C. D. Wang and G. Y. Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.3937},
year = {2010}
}
备注
15 pages, 4 figures