RuO$_2$ 薄膜中限制诱导的交变磁性
材料科学
2024-12-23 v1
摘要
尽管块体 RuO 在交变磁性的出现中起着关键作用，其磁性仍是一个积极争论的话题。后者是磁相中的一个新范式，其特征是由于磁矩的反平行排列而缺乏净磁化，但在电子能带结构中表现出有限的自旋劈裂。这种独特行为为信息技术设备中的先进应用解锁了机遇。最近的实验和理论研究表明，与先前的假设相反，块体 RuO 是非磁性的。在这项工作中，我们提出制备 RuO 薄膜以稳健地稳定交变磁相。与其块体对应物不同，薄膜经历了显著的应变弛豫，导致对电子结构产生巨大影响，从而触发了向交变磁性行为的转变，这模仿了人工施加 Hubbard-U 校正以解释电子关联的影响。我们的发现促进了薄膜的使用和探索，以实现基于交变磁体的自旋电子器件。
引用
@article{arxiv.2412.15377,
title = {Confinement-induced altermangetism in RuO$_2$ thin films},
author = {Samy Brahimi and Dibya Prakash Rai and Samir Lounis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.15377},
year = {2024}
}