β-LiGaO₂ 中缺陷复合体的计算研究及其与施主-受主对复合的关系
材料科学
2023-06-21 v1
摘要
本文给出了 LiGaO₂ 中缺陷的杂化泛函计算，其中非局域交换的比例经过调整，以重现最近报道的 6.0 eV 激子带隙。我们研究了主要本征缺陷的缺陷跃迁能级相对于带边如何变化，并与早期假设带隙较小（约 5.1 eV）的计算结果进行了比较。此外，我们考虑了由主要本征施主 Ga_Li 与主要受主 V_Li 和 Li_Ga 反位缺陷结合形成的缺陷复合体，并研究了它们随相对位置变化的函数关系。这些结果被用来尝试性地识别先前归因于施主-受主对复合的光致发光谱带。
引用
@article{arxiv.2302.09206,
title = {Computational study of defect complexes in $\beta$-LiGaO$_2$ and their relation to the donor-acceptor-pair recombination},
author = {Klichchupong Dabsamut and Adisak Boonchun and Walter R. L. Lambrecht},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.09206},
year = {2023}
}