使用排列的金属与半导体微线的复合太赫兹材料：实验与解释
光学
2015-05-19 v1
摘要
我们报道了包含排列的金属（锡合金）微线或硫系 As2Se3 微线的复合薄膜的制备方法与太赫兹特性表征。微线阵列是通过堆叠-拉制光纤制备技术制成的，该技术使用低熔点金属或半导体玻璃与聚合物的多步共拉制。然后将光纤堆叠并压制成复合薄膜。使用 FTIR 和 TDS 的组合，在整个太赫兹范围（0.1-20 THz）内研究了超材料薄膜的透射率。发现含金属的超材料具有强烈的偏振特性，而含半导体的材料与偏振无关且可具有可设计的高折射率。利用传输矩阵理论，我们展示了如何提取复合薄膜的复偏振相关折射率。然后我们详细介绍了自洽算法，该算法利用有效介质近似来提取用于制备超材料层的金属合金的光学性质。最后，通过比较使用 2、3 和 4 次连续拉制制备的样品，我们研究了通过重复堆叠-拉制工艺制备具有亚微米金属线的超材料所面临的挑战。当使用金属合金时，我们观察到相分离效应以及微小金属线上纳米网格的形成。
引用
@article{arxiv.1009.2658,
title = {Composite THz materials using aligned metallic and semiconductor microwires, experiments and interpretation},
author = {Anna Mazhorova and Jian Feng Gu and Alexandre Dupuis and Ozaki Tsuneyuki and Marco Paccianti and Roberto Morandotti and Hiroaki Minamide and Ming Tang and Yuye Wang and Hiromasa Ito and Maksim Skorobogatiy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.2658},
year = {2015}
}