通过具有 Mott-Hubbard 能隙和二聚化能隙的分子隧穿比较
强关联电子
2009-10-31 v1
摘要
为了研究电子通过连接到导线的相互作用的、一维的、二聚化分子的隧穿，我们考虑了嵌入该分子的环中的持续电流。我们通过数值计算发现，对于无自旋费米子，具有主要由相互作用引起的能隙（即 Mott-Hubbard 能隙）的分子产生的持续电流大于具有相同能隙但仅由二聚化引起的分子。在两种情况下，隧穿电流都随分子尺寸呈指数衰减，但在相互作用情况下衰减得更慢。简要讨论了对分子电子学的影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9802031,
title = {Comparison of tunneling through molecules with Mott-Hubbard and with dimerization gaps},
author = {Julien Favand and Frederic Mila},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9802031},
year = {2009}
}
备注
Revtex, 22 pages including 7 figures. To appear in European Physical Journal B