氮空位中心与时间分辨磁光测量在自旋波成像中的比较分析

自旋波是磁性材料中的基本激发，作为低耗能信息处理在自旋电子学中的应用前景广阔。实现自旋波协同传输的可视化与操控能力对于基于自旋波的器件开发至关重要。我们采用近期发现的利用氮空位（NV）中心（晶格中的点缺陷）来测量薄膜磁性绝缘体中自旋波的方法，通过检测其磁 stray 场来实现。我们实验地展示了通过在参考条形线下成像自旋波后，检测到的波前振幅获得了增强的对比度，并对结果进行现象学建模。通过提取自旋波色散并将基于 NV 中心的自旋波测量与通过已建立的时分辨磁光 Kerr 效应进行的自旋波成像进行比较，我们讨论了采用 NV 中心作为自旋波传感器的优势与局限性。