对 ``沿 Si(111)-7×7 畴界从 3×3 到 13×13 的局部二聚体-吸附原子堆垛缺陷结构'' 的评论
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
Zhao 等人 [Phys. Rev. B 58, 13824 (1998)] 描绘了 Si(111) 表面上畴界的若干原子结构，并批评了本文作者及其合作者的文章。我将指出他们的批评是不正确的，其结构模型缺乏自洽性。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0004382,
title = {Comment on ``Local dimer-adatom stacking fault structures from 3x3 to 13x13 along Si(111)-7x7 domain boundaries''},
author = {Makoto Itoh},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0004382},
year = {2009}
}
备注
2 pages. Physical Review B, to appear