超强耦合区中的集体辐射效应

我们研究了超强耦合区中量子比特的集体辐射特性，其中辐射判据基于谐振器-量子比特修饰基定义。当系统的修饰态被共振驱动时，展示了超强超辐射效应。有趣的是，我们表明除谐振器-量子比特耦合强度外，宇称对称性破缺诱导的级联跃迁可显著增强量子比特的集体辐射，这使我们能够通过外磁场调节系统的宇称对称性来操控亚辐射、超辐射与超强超辐射之间的跃迁。本工作将集体辐射理论拓展至超强耦合区，并为新型激光器件的设计提供了潜在应用。