微波辐照下电荷-相位量子比特的相干拉比响应
超导电性
2015-05-13 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报告了在连续微波辐照下，电荷-相位量子比特与射频谐振电路弱耦合状态下的射频测量结果。我们研究了射频阻抗对两个重要参数的依赖性：频率接近两个最低量子比特能级之间能隙的微波辐照功率，以及内部热库的温度。我们发现，量子比特对射频谐振电路的反作用效应，以及反之谐振电路对量子比特的反作用效应，导致量子比特被谐振电路所见的阻抗实部 Re 出现负值和正值。我们在对应最大电压响应的极值点实施了噪声谱测量，以直接读取阻抗，并获得了负值和正值的 Re 绝对值约为 0.017 。我们的结果证明了在 10 至 200 mK 的温度范围内，量子比特存在且持续存在相干单光子和多光子拉比动力学，同时向谐振电路中引入了负值和正值的动态电阻。
引用
@article{arxiv.0810.3111,
title = {Coherent Rabi response of a charge-phase qubit under microwave irradiation},
author = {V. I. Shnyrkov and D. Born and A. A. Soroka and W. Krech},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.3111},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 9 figures