相干核π介子光生与中子半径

{\bf 背景：} 了解原子核中子与质子密度之差是一个重要课题，因其对理解中子星结构与冷却机制十分关键。原子核相干π^0光生$({\g,\pi^0})$结合弹性电子散射，已被认为是对密度差极为精确的探测手段。{\bf 目的：} 研究${(\g,\pi^0)}$反应机制，以更好地理解提取中子密度所涉不确定性。{\bf 方法：} 在截面中计入末态π介子–原子核电荷交换反应的影响，并研究质子非零空间延展的作用。{\bf 结果：} 末态电荷交换效应使截面增加6%至5%，且一般随动量转移增大而减小。这导致提取的中子皮厚度增加约50%。先前对质子尺寸的处理方式得到证实。{\bf 结论：} 理论计算截面的模型依赖性，使从${(\g,\pi^0})$截面提取中子皮的总系统不确定性（实验加理论）至少增大为原来的三倍。