通过失谐光子阻塞在芯片上相干产生非经典光

芯片上非经典光态的产生是未来光学量子硬件的关键需求。在固态腔量子电动力学中，这种非经典光可以由与光子晶体腔强耦合的自组装量子点产生。它们的非谐强光 - 物质相互作用导致了单光子水平上的大光学非线性，其中单个光子进入腔可能会增强（光子隧穿）或减弱（光子阻塞）第二个光子进入腔的概率。在此，我们证明了失谐腔和量子点共振能够从强耦合系统中产生高纯度的非经典光。对于特定的失谐，我们表明不仅纯度显著提高，单光子产生的效率也显著增加，使得利用当前最先进的样品通过光子阻塞实现高质量单光子产生成为可能。