光子分子中量子点与弱耦合及强耦合的共存
介观与纳米尺度物理
2018-06-28 v1
摘要
我们研究了由两个邻近光子晶体缺陷腔构成、包含少量（<3）In(Ga)As 量子点的分子光子腔的发射。在强激发下，我们观测到成键模与反成键模的光致发光，与数值模拟的预期极为吻合。功率依赖测量揭示出一个意外峰，出现在分子成键模与反成键模之间的能量处。温度依赖测量表明该意外特征起源于光子。时间分辨测量显示该涌现峰的寿命为 ，与成键和反成键耦合模均相近。实验结果与理论预期的比较表明，这一新特征源于弱耦合与强耦合的共存，这是由于分子在其环境允许或反之阻碍其强耦合的情况下发射。该情形通过约化至其动力学关键要素的主方程在我们特定几何下得到了理论重现。实验与理论之间获得了极好的定性一致，展示了固态腔 QED 如何揭示光-物质相互作用的新 regime。
引用
@article{arxiv.1806.10160,
title = {Coexistence of weak and strong coupling with a quantum dot in a photonic molecule},
author = {S. Lichtmannecker and M. Kaniber and S. Echeverri-Arteaga and I. C. Andrade and J. Ruiz-Rivas and T. Reichert and M. Becker and M. Blauth and G. Reithmaier and P. L. Ardelt and M. Bichler and E. A. Gómez and H. Vinck-Posada and E. del Valle and J. J. Finley},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.10160},
year = {2018}
}