化合物半导体脉冲激光烧蚀下的团簇生成
材料科学
2017-10-24 v1
摘要
对两种二元半导体——氧化锌和磷化铟——在真空中的脉冲激光烧蚀进行了比较实验研究，使用红外和可见光激光脉冲，特别关注团簇生成。产生了不同化学计量比的中性和阳离子ZnnOm及InnPm粒子，并通过飞行时间质谱进行了研究。在ZnO烧蚀中，大阳离子（n>9）和所有中性团簇在烧蚀羽流中主要为化学计量比团簇。相比之下，磷化铟团簇严重富铟，In4P为幻数团簇。对激光照射下羽流成分的分析揭示了ZnO的一致汽化和受照射InP表面磷的不成比例损失。ZnO烧蚀下的羽流膨胀条件被证明有利于化学计量比团簇的形成。在InP烧蚀中观察到磷的延迟汽化，导致非化学计量比团簇的生成。
引用
@article{arxiv.1710.08215,
title = {Cluster Generation Under Pulsed Laser Ablation Of Compound Semiconductors},
author = {Alexander Bulgakov and Anton Evtushenko and Yuri Shukhov and Igor Ozerov and Wladimir Marine},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.08215},
year = {2017}
}