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硅中G中心的簇构型研究

量子物理 2026-07-15 v1 材料科学
作者: Narayan Pokhrel , Kyungwha Park , Vsevolod Ivanov
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摘要

理解缺陷的性质对于在包括量子计算在内的各种应用中的正确使用至关重要。在本文中，我们使用多组态自洽场（MCSCF）结合DFT优化几何来研究硅中G中心的自旋和光学性质。通过利用基于量子化学的方法，我们展示了与G中心的零声子线和零场分裂张量分量的极好一致性。我们还使用簇相关展开（CCE）方法计算了G中心的理论自旋退相干时间。

关键词

G中心 硅 MCSCF DFT 零声子线 零场分裂 自旋退相干 簇相关展开

引用

@article{arxiv.2607.14083,
  title  = {Cluster-configurational study of G-center in Silicon},
  author = {Narayan Pokhrel and Kyungwha Park and Vsevolod Ivanov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2607.14083},
  year   = {2026}
}

备注

18 pages, 5 figures