交叉 Andreev 反射的电路理论
超导电性
2007-05-23 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们利用介观超导的电路理论，研究了一个连接一个超导终端和两个金属终端的三端器件的输运。我们计算了响应于第二金属终端与超导终端之间的偏压，从第一金属终端流出的电流的非局域电导。非局域电导由交叉 Andreev 反射和电子共隧穿的竞争贡献决定，我们确定了每个过程的贡献。当超导终端与器件之间没有电阻时，非局域电导消失，这与先前的理论工作一致。当器件与超导库之间存在有限电阻时，电子共隧穿占主导。我们考虑了退相干，其特征时间尺度是粒子驻留时间。这产生了一个有效的 Thouless 能量。由交叉 Andreev 反射和电子共隧穿产生的电导都强烈依赖于 Thouless 能量。我们建议通过测量响应于另一金属终端与超导体之间偏压而流入一个金属终端的能量和电荷流，来独立地实验确定由交叉 Andreev 反射和电子共隧穿产生的电导。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606561,
title = {Circuit theory of crossed Andreev reflection},
author = {Jan Petter Morten and Arne Brataas and Wolfgang Belzig},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606561},
year = {2007}
}
备注
v2: Published version with minor changes, 12 pages and 9 figures