莫氏原子的 chirped 磁光陷阱

我们直接将莫氏原子的低温束加载到磁光陷阱中。通过调制捕获激光的色差，我们将陷阱中原子数的提升超过一倍。我们通过变化激光冷却参数优化捕获样本的原子数、温度和寿命。随后将冷却的莫氏原子转移到磁性陷阱中，实现 100 ms 的真空极限寿命。比较磁光陷阱和磁性陷阱的寿命，使我们能够提取 $\text{z}\,^7\text{P}^\text{o}_4\rightarrow\text{a}\,^5\text{D}_4$ 和 $\text{z}\,^7\text{P}^\text{o}_4\rightarrow\text{a}\,^5\text{D}_3$ 过渡的部分衰变率。我们还提供了对 $\text{a}\,^7\text{S}_3\rightarrow \text{z}\,^7\text{P}^\text{o}_4$ 过渡同位素位移的测量，精度比以前报告的高出最高四倍。最后，我们讨论了将 chirped 磁光陷阱应用于产生莫氏氟 (MgF) 激光冷却样本的前景。