低温下的手征磁效应

我们研究了在强磁场 B = B_0 x_3 和低温 T < T^chi_c 条件下的手征磁效应（CME）。为此，我们采用了具有有限瞬子数涨落 Delta 的瞬子真空构型，该涨落与非平凡拓扑荷 Q_t 相关。我们计算了作为 T 和 B_0 函数的局域手征密度 <rho_chi>、手征电荷密度 <n_chi> 以及感应电磁流 <j_mu> 的真空期望值，这些量标志着 CME。我们观察到纵向电磁流远大于横向电磁流，|j_perp/j_parallel| ~ Q_t，并且 <n_chi> 等于 |<j_{3,4}>|。结果还表明，随着 T 的增加，CME 对磁场变得不敏感，这是由于瞬子（即隧穿效应）的减少。在我们的框架内，当 T 超过约 300 MeV 时，瞬子对 CME 的贡献几乎可以忽略不计。