型-II Weyl 半导体 TaRhTe$_4$ 中的手性异常
强关联电子
2025-04-29 v2
摘要
TaRhTe 是一种 type-II Weyl 半导体，具有靠近费米能级的四个 Weyl 点。本文报告了我们对 TaRhTe 中纵向磁阻的系统性研究结果。我们的发现表明，仅当磁场与电场平行时，磁阻才为负。通过旋转 E（以及 B），我们显示其起源与手性异常的预测相一致，而电流喷射效应和弱局域化可被排除。负磁阻可持续到室温，表明 TaRhTe4 在 Weyl 半导体家族中具有独特性的特性。
引用
@article{arxiv.2502.18937,
title = {Chiral anomaly in the Weyl semimetal TaRhTe$_4$},
author = {M. Behnami and D. V. Efremov and S. Aswartham and G. Shipunov and B. R. Piening and C. G. F. Blum and V. Kocsis and J. Dufouleur and I. Pallecchi and M. Putti and B. Büchner and H. Reichlova and F. Caglieris},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.18937},
year = {2025}
}