化学与磁性杂质对半导体量子线电子性质的影响
无序系统与神经网络
2008-06-10 v1
摘要
本文对磁性与非磁性半导体量子线中的电子态进行了理论研究。在单点相干势近似下，研究了顺磁温度下化学无序与磁性无序的影响。结果表明，非磁性杂质会使载流子能带发生移动，并取决于杂质浓度抑制局域态密度 (LDOS) 中的范霍夫奇点。然而，磁性杂质会拓宽能带，其程度取决于交换耦合强度；在高杂质浓度下，LDOS 中的范霍夫奇点可完全消失，曲线变得平滑。
引用
@article{arxiv.0806.1282,
title = {Chemical and magnetic impurity effects on electronic properties of semiconductor quantum wires},
author = {Alireza Saffarzadeh},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.1282},
year = {2008}
}
备注
7 pages, 6 figures