电荷对称性破缺与宇称不守恒电子 - 质子散射

为了将未来的宇称不守恒电子 - 质子散射测量明确地解释为质子奇异性的证据，必须理解对质子中性弱形状因子的电荷对称性破缺贡献。我们利用手征微扰理论并结合未知低能常数的共振饱和估计，计算了这些电荷对称性破缺的形状因子贡献。通过引入核物理约束，降低了领头阶共振饱和估计的不确定性。通过唯象顶点形状因子研究了高阶贡献。我们预测，电荷对称性破缺的形状因子贡献比朴素量纲分析预期的要大一个数量级，但仍比当前对质子奇异性的实验界限小一个数量级。这与之前使用带有共振饱和的手征微扰理论进行的计算一致。