晶体 4He 面上的电荷诱导不稳定性与宏观量子成核现象
其他凝聚态物理
2012-06-05 v1
摘要
对于处于粗糙态的 4He 晶体表面，电荷诱导不稳定性的存在是众所周知的。然而，对于粗糙化转变温度以下处于光滑且良好刻面态的 4He 晶体表面，其电荷诱导不稳定性却鲜为人知。为了弥补这一不足，我们在此研究后一种情形。只要垂直于晶体面的电场低于临界值（与粗糙表面的临界值相同），晶体刻面就保持绝对稳定。当电场高于临界值时，与粗糙表面的绝对不稳定状态不同，晶体面将转变为亚稳态，该亚稳态与新的破碎态之间被一个与线性面阶能量平方成正比的势垒隔开。带电晶体面上不稳定性的发生与发展与一阶相变的成核动力学有很大共性。取决于温度的不同，电击穿强度在高温下由热激活决定，而在足够低的温度下则由量子隧穿决定。
引用
@article{arxiv.1204.0417,
title = {Charge-induced instability and macroscopic quantum nucleation phenomena at the crystal 4He facet},
author = {S. N. Burmistrov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.0417},
year = {2012}
}
备注
8 pages + Refs