NbSe3中亚微米反点阵列中的电荷密度波输运
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2 强关联电子
摘要
我们首次证明，可以在薄的单晶NbSe3中刻蚀出周期性排列的亚微米孔（反点）阵列。我们报告了对反点之间介观单元网络的电荷密度波（CDW）输运的研究。基本单元的尺寸可以小至沿链轴方向0.5微米，横截面为（0.2微米）×（0.3微米）。我们在亚微米网络中观察到欧姆剩余电阻的尺寸效应以及CDW输运电流-电压特性中的尺寸效应。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9711018,
title = {Charge density wave transport in submicron antidot arrays in NbSe3},
author = {Yu. I. Latishev and B. Pannetier and P. Monceau},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9711018},
year = {2007}
}
备注
4 pages with 1 table and 10 figures. Submitted to European Physical Journal