Lu$_5$Ir$_4$Si$_{10}$中电荷密度波与超导的竞争：质子辐照研究

实空间调制的电荷密度波（CDW）是许多超导家族中普遍存在的特征。特别是，CDW与超导的关系是一个活跃且开放的问题，自在许多铜氧化物超导体中发现了CDW以来近期备受关注。在此我们表明，质子辐照引起的无序是一个成熟的调控参数，可提供回答该问题的关键信息，因为它以不同且明确的机制影响CDW和超导。具体而言，在模型CDW超导体Lu$_5$Ir$_4$Si$_{10}$中——其在77 K以下发展出一维CDW，在4 K以下出现s波超导——我们表明无序增强了超导临界温度$T_\mathrm{c}$和$H_\mathrm{c2}$，同时抑制了CDW。通过讨论无序如何影响超导与CDW，我们有力地论证了在Lu$_5$Ir$_4$Si$_{10}$中超导与CDW在费米能级处竞争电子态密度，并调和了通过更常见的压力与掺杂调控参数所得的结果。由于其原型性的一维Peierls型CDW以及s波、弱耦合性质超导，该对Lu$_5$Ir$_4$Si$_{10}$的辐照研究为理解并将此类研究扩展至重费米子、铁基或铜氧化物超导体中密度波与超导共存的更复杂情形提供了基础。