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RNDR-DEPFET 检测器中的电荷载流子产生

仪器与探测器 2026-04-21 v3 高能物理 - 实验

摘要

抵消型 p 型场效应晶体管检测器通过对单个事件的多个独立测量进行平均,以实现亚电子噪声。 在每次重复读出期间,收集的电子在每个像素内的两个读出节点之间转移,以实现电子数分辨率测量。 像素作为活动像素传感器的单元,实现了高度的并行化和快速读出。 这些特性被用于 DANAE 实验,旨在基于电子晃动事件信噪比直接探测暗物质。 我们对一个 64×64 RNDR-DEPFET 像素检测器进行了实验表征,重点关注电荷载流子产生率。 该技术实现了高时间分辨率,这增加了其对信号为两个或多个电子的稀有事件的灵敏度,因为热产生的电子服从泊松分布。

关键词

引用

@article{arxiv.2511.13367,
  title  = {Charge carrier generation in RNDR-DEPFET Detectors},
  author = {Niels Wernicke and Alexander Bähr and Hannah Danhel and Florian Heinrich and Holger Kluck and Jelena Ninkovic and Jochen Schieck and Wolfgang Treberspurg and Johannes Treis},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2511.13367},
  year   = {2026}
}

备注

9 Pages, 12 Figures