表征自旋输运：通过磁杂散场探测自旋积累

电导体中的自旋输运很大程度上由两个材料参数决定——自旋扩散长度和自旋霍尔角。在金属中，这些参数通常通过在磁/金属异质结构中探测磁电阻来间接确定，并假定已知界面特性。我们建议通过对金属中电荷电流诱导的自旋霍尔自旋积累进行剖面分析，并通过探测相关静态磁化产生的磁杂散场，作为确定自旋输运参数的直接手段。我们评估了磁杂散场的空间分布以及电荷电流产生的奥斯特场。因此，我们证明了这种电荷电流诱导的自旋积累完全在当代技术的探测极限之内。测量杂散场可能能够直接获取金属的自旋相关特性，从而为更好且一致地理解其中的自旋输运铺平道路。