高保真拉曼量子比特门的表征
量子物理
2023-10-09 v1
摘要
拉曼量子比特由通过中间态耦合的两个基态或亚稳态量子态表示，相较于直接耦合量子比特具有一些优势，最显著的是长得多的辐射寿命、更短的门持续时间以及由于使用电偶极允许的光学跃迁而更低的辐射强度。它们也相对易于实现和控制，使其成为构建量子计算机量子门的一个有吸引力的选择。在本工作中，我们提出了一种简单快速的层析方法，用于测量具有 Morris-Shore 动态对称性的拉曼量子比特门的误差。后者发生在量子比特态处于双光子共振且驱动场具有相同时间依赖关系时。该方法基于多次重复同一量子门，将小的相干误差放大到足够大的值，从而可以高精度和高准确度测量。然后可通过它们之间的解析联系由放大误差确定（小的）门误差。
引用
@article{arxiv.2310.04228,
title = {Characterization of high-fidelity Raman qubit gates},
author = {Stancho G. Stanchev and Nikolay V. Vitanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.04228},
year = {2023}
}
备注
9 pages, 10 figures