硅T中心的腔增强发射
光学
2024-02-27 v2 量子物理
摘要
硅T中心在全硅器件中生成光活性自旋量子比特方面展现出广阔前景。然而，这些色中心具有较长的激发态寿命和较低的德拜-瓦勒因子，使其成为零声子线效率低下的暗发射体。纳米光子腔可通过珀塞尔效应增强向零声子线的辐射发射来解决此问题。本工作中，我们展示了纳米光子腔中单个T中心的腔增强发射。相对于波导耦合发射体，我们实现了零声子线亮度两个数量级的提升、从发射体到光纤23%的收集效率，以及零声子线63.4%的总发射效率。我们还观察到5倍的寿命增强，在修正声子边带发射后对应于超过18的珀塞尔因子。这些结果为硅光子学中高效自旋-光子接口铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2310.13808,
title = {Cavity enhanced emission from a silicon T center},
author = {Fariba Islam and Chang-Min Lee and Samuel Harper and Mohammad Habibur Rahaman and Yuqi Zhao and Neelesh Kumar Vij and Edo Waks},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.13808},
year = {2024}
}
备注
References updated