金薄膜绝缘体 - 导体转变附近的卡西米尔力计算
量子物理
2009-11-13 v1
摘要
我们针对实验观测到的金薄膜在绝缘体 - 导体转变附近的卡西米尔力进行了理论计算。金薄膜的介电函数由 Drude-Smith 模型描述。模拟介电函数所需的参数，如弛豫时间、等离子体频率和背散射常数，均依赖于薄膜厚度。随着薄膜厚度的减小，卡西米尔力随之减小，直至达到最小值，随后力再次增大。力的最小值与发生渗流导体 - 绝缘体转变的临界薄膜厚度相吻合。
引用
@article{arxiv.0803.3478,
title = {Casimir force calculations near the insulator-conductor transition in gold thin films},
author = {R. Esquivel-Sirvent},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.3478},
year = {2009}
}
备注
5 figures, 1 table