稀有 charm 衰变中的级联拓扑结构及其对 CP 违背的影响

观察到的 charmed 中子衰变中的 CP 违背至今仍是理论家面临的谜团。依赖于 charred 中子衰变中夸克-夸克对之间发生不可逆最终态相互作用的计算方法，未能达到实验值。有人指出，第三个四 π 衰变通道会在两种两体衰变的 CP 不对称性中留下痕迹。同时，charmed 中子的 $4\pi$ 衰变以及稀有衰变 $D^0\to\pi^+\pi^-\ell^+\ell^-$ 都有大量数据。基于此动机，我们研究了级联拓扑结构 $D^0\to a_1(1260)^+(\to \rho(770)^0\pi^+)\,\pi^-$，该拓扑结构被测量在 $4\pi$ 衰变中所占的贡献显著，我们估算了其对稀有衰变分支比率的影响。我们还探讨了该拓扑结构是否可能贡献于 $D^0\to\pi^+\pi^-$ 衰变振幅，从而间接影响相关 CP 不对称性。