高Tc氧化物铜化合物中的载流子松弛、伪谱和超导导隙：拉曼散射研究
超导电性
2014-09-23 v1
摘要
我们描述了对不同掺杂浓度下Y-123和Bi-2212单晶的电子拉曼散射实验结果。与绝缘体和金属样品的比较表明，至少低能段谱线主要来自自由载流子激发。因此，我们提出以记忆函数方法分析数据。获得载流子的动力学散射率和质量增益因子。在B2g对称性下，拉曼数据与普通和光学输运结果良好一致。对于欠掺杂材料，B1g对称性下的直流散射率在温度上基本不变，且显著大于B2g对称性。这种各向异性增加伴随着在Tc至约室温的特征温度T*之间B2g对称性中能谱权重的损失，这与其他实验中发现的伪谱温度相符。受伪谱影响的能量范围随掺杂和温度而不变。集成的谱损失在欠掺杂样品中约为25%，随载流子浓度升高而显著减弱。在欠掺杂样品中，超导相关特征仅在B2g对称性下可观察到。峰频率随Tc而缩放。我们没有发现伪谱与超导导隙之间的直接关系。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/9908272,
title = {Carrier relaxation, pseudogap, and superconducting gap in high-Tc cuprates: A Raman scattering study},
author = {M. Opel and R. Nemetschek and C. Hoffmann and R. Philipp and P. F. Müller and R. Hackl and I. Tüttö and A. Erb and B. Revaz and E. Walker and H. Berger and L. Forró},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9908272},
year = {2014}
}
备注
RevTeX, 21 pages, 24 gif figures. For PostScript with embedded eps figures, see http://www.wmi.badw-muenchen.de/~opel/k2.html