掺杂锰氧化物中的载流子密度坍缩与庞磁电阻效应
强关联电子
2016-08-31 v2 材料科学
摘要
在具有强电子-声子耦合的掺杂电荷转移绝缘体中，发现了一种伴随载流子密度坍缩的新型铁磁相变。该相变由极化子载流子与局域自旋之间的交换相互作用驱动；相互作用的强度决定了相变是一级还是二级。相变过程中电流载流子数量的巨大下降，是接近相变的顺磁相中束缚对形成的结果，对外部磁场极为敏感。这种载流子密度坍缩解释了掺杂锰氧化物的电阻率峰和庞磁电阻效应。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9806030,
title = {Carrier Density Collapse and Colossal Magnetoresistance in Doped Manganites},
author = {A. S. Alexandrov and A. M. Bratkovsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9806030},
year = {2016}
}
备注
5 pages, REVTeX 3.0, 3 EPS-figures embedded via epsf. Added - inset in Fig. 2; Ref.[32]; footnotes [29], [30], [33]