富碳岩质系外行星内部碳化硅氧化的捕获
地球与行星天体物理
2018-10-24 v1
摘要
理论模型预言，除在陨石、星际介质与原行星盘中的观测外，碳化硅在 C/O 比高于 0.65（对比 C/O = 0.54）的宿主恒星周围会凝聚。因此，由富碳难熔物质诞生的岩质系外行星内部常被假定含有大量碳化硅。本文旨在研究碳化硅在富碳岩质系外行星内部的稳定性，并推导导致其转化的反应。我们开展了高温高压实验，研究碳化硅层与代表富碳岩质系外行星整体成分的层之间的反应。我们报道了导致碳化硅氧化生成石英、石墨与熔融铁硅化物的反应。结合先前研究，我们表明稳定碳化硅不仅需要碳饱和，还需行星地幔中 Fe 完全还原为 Fe，这意味着未来在岩质系外行星表面光谱探测到 Fe 或 Fe 将暗示其内部不存在碳化硅。
引用
@article{arxiv.1810.04544,
title = {Capturing the oxidation of silicon carbide in rocky exoplanetary interiors},
author = {Kaustubh Hakim and Wim van Westrenen and Carsten Dominik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.04544},
year = {2018}
}
备注
Accepted for publication in Astronomy & Astrophysics